RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
65
Por volta de -91% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.4
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
15.8
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
12.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link