RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
65
Wokół strony -91% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 36ADS2G72PZ-2G1A1 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link