RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
65
Около -91% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.4
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
5300
Около 4.02 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
34
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
21300
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4333C19 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link