RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
65
En -91% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2902
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KVR648-PSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link