RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
20
65
Por volta de -225% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
20
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
15.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Super Talent F26UB16GH 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link