RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link