RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
65
Около -225% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.5
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
20
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link