RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
65
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3404
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link