RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
38
Por volta de 37% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.9
16
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
19200
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
24
38
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
17.9
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
10.4
Largura de banda de memória, mbps
19200
25600
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
3030
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Comparações de RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link