RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
38
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
16
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
38
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
25600
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3030
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link