Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Różnice

  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    24 left arrow 38
    Wokół strony 37% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 10.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.9 left arrow 16
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 19200
    Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    24 left arrow 38
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.0 left arrow 17.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.5 left arrow 10.4
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    19200 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Taktowanie / szybkość zegara
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2925 left arrow 3030
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania