Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

総合得点

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

24 38

周辺 37% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s

12.5 10.4

テスト平均値

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

考慮すべき理由
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

17.9 16

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

25600 19200

周辺 1.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR4 DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

24 38
読み出し速度、GB/s

16.0 17.9
書き込み速度、GB/秒

12.5 10.4
メモリ帯域幅、mbps

19200 25600

Other

商品説明

PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度

15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

2925 3030

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB

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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB

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Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB

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AMD R5S38G1601U2S 8GB

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Apacer Technology 78.CAGPN.AZ50C 8GB

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Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB

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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB

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Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB

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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB

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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB

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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB

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