RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3030
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology C 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link