RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
38
Около 37% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.9
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3030
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J644GU44J9266NQ 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link