Comparação RAM Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Pontuação geral

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

26 32

Por volta de 19% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.9 8.2

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.5 5.2

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Maior largura de banda de memória, mbps

14900 12800

Por volta de 1.16 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2432 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns