Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Pontuação geral
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Pontuação geral
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 32
    Por volta de 19% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.9 left arrow 8.2
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.5 left arrow 5.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 12800
    Por volta de 1.16 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    26 left arrow 32
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.9 left arrow 8.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    9.5 left arrow 5.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2432 left arrow 1409
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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