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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

総合得点
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
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Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 32
    周辺 19% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 8.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 5.2
    テスト平均値
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
    周辺 1.16 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    26 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    13.9 left arrow 8.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    9.5 left arrow 5.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2432 left arrow 1409

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