RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Porównaj
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Wynik ogólny
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wynik ogólny
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
32
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
8.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
5.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
14900
12800
Wokół strony 1.16 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
26
32
Prędkość odczytu, GB/s
13.9
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
14900
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2432
1409
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link