RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Confronto
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.9
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
5.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
14900
12800
Intorno 1.16 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
13.9
8.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
5.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
14900
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2432
1409
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link