Comparación de la memoria RAM Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Puntuación global

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 32

En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.9 8.2

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.5 5.2

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

14900 12800

En 1.16 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 9-10-9-28 / 1866 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2432 1409

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns