RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Comparar
PNY Electronics PNY 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
28
Por volta de 4% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
13.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
16.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
3889
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link