PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Pontuação geral
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PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Pontuação geral
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Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 60
    Por volta de 55% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.9 left arrow 13.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    12.0 left arrow 8.4
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    25600 left arrow 10600
    Por volta de 2.42 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    27 left arrow 60
  • Velocidade de leitura, GB/s
    13.8 left arrow 14.9
  • Velocidade de escrita, GB/s
    8.4 left arrow 12.0
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    2274 left arrow 2511
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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