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PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
45
Por volta de 40% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
5.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
45
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
5.3
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
8.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1535
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
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