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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
28
Por volta de 7% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.5
11.7
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1932
1691
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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