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Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
比较
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB vs Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
总分
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
总分
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.5
11.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.5
7.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.5
11.7
写入速度,GB/s
7.8
8.5
内存带宽,mbps
10600
10600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
排名PassMark (越多越好)
1932
1691
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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CAS Latency (CL) *
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Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
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Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
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