Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 28
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.5 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.5 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1932 left arrow 1691
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения