RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB против Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Причины выбрать
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 28
    Около 7% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.5 left arrow 11.7
    Среднее значение в тестах
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB Причины выбрать
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость записи
    8.5 left arrow 7.8
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 28
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.5 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.8 left arrow 8.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 10600
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1932 left arrow 1691

Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB Сравнения RAM

Nanya Technology M2S2G64CB88G5N-DI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB

Samsung M471B5673EH1-CH9 2GB Сравнения RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
модули RAM
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
модули RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
модули RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
модули RAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
модули RAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
модули RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
модули RAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
модули RAM
PNY Electronics PNY 2GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
модули RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
модули RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
модули RAM