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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Pontuação geral
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral
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Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Diferenças Especificações Comentários

Diferenças

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    2 left arrow 18.2
    Valor médio nos testes
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Relatar um erro
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    26 left arrow 46
    Por volta de -77% menor latência
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    17.3 left arrow 1,519.2
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    21300 left arrow 3200
    Por volta de 6.66 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 26
  • Velocidade de leitura, GB/s
    2,909.8 left arrow 18.2
  • Velocidade de escrita, GB/s
    1,519.2 left arrow 17.3
  • Largura de banda de memória, mbps
    3200 left arrow 21300
Other
  • Descrição
    PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Tempos / Velocidade do relógio
    3-3-3-12 / 400 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    241 left arrow 3938

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