RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
46
Около -77% меньшая задержка
Выше скорость записи
17.3
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.2
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
17.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3938
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link