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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
18.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
46
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.3
1,519.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
3200
Rund um 6.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,909.8
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,519.2
17.3
Speicherbandbreite, mbps
3200
21300
Other
Beschreibung
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
241
3938
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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