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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
77
Por volta de -120% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
35
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3147
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
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