RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3147
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link