RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
11.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
77
Около -120% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
15.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3147
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link