RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
12.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
58
77
Por volta de -33% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
58
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
12.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2658
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link