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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
10.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
77
Por volta de -133% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
33
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
10.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
3035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
UMAX Technology 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
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