RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сравнить
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB против Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,622.0
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
77
Около -133% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
5300
Около 4.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
77
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,405.2
16.9
Скорость записи, Гб/сек
2,622.0
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
25600
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
763
3035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Сравнения RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link