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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
10.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
77
左右 -133% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
5300
左右 4.83 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
33
读取速度,GB/s
3,405.2
16.9
写入速度,GB/s
2,622.0
10.4
内存带宽,mbps
5300
25600
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3035
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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