RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Comparar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Pontuação geral
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,622.0
11.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
47
77
Por volta de -64% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
5300
Por volta de 4.02 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
77
47
Velocidade de leitura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,622.0
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
21300
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
763
2875
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link