RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
31
Por volta de 16% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
15.5
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
31
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
17.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
15.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3614
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB Comparações de RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link