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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
13.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
104
Por volta de -352% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
23
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
17.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
13.2
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
3233
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
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Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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