RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
104
Por volta de -189% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2488
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link