RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
67
104
Por volta de -55% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.3
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
67
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
8.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
1798
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparações de RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link