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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Pontuação geral
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,072.7
14.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
75
Por volta de -88% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
40
Velocidade de leitura, GB/s
2,730.3
16.8
Velocidade de escrita, GB/s
2,072.7
14.0
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tempos / Velocidade do relógio
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
858
3015
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Comparações de RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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