RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
75
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3015
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link