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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Comparar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
18.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
69
Por volta de -146% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
1,441.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
69
28
Velocidade de leitura, GB/s
3,325.1
18.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,441.2
14.4
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
525
3566
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
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Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
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Kingston 9905700-025.A00G 8GB
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G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
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