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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
比较
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
总分
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
总分
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
18.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
69
左右 -146% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,441.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
28
读取速度,GB/s
3,325.1
18.6
写入速度,GB/s
1,441.2
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
525
3566
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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