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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Comparar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Pontuação geral
AMD R744G2400U1S 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
AMD R744G2400U1S 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
68
Por volta de -209% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.6
1,702.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
68
22
Velocidade de leitura, GB/s
3,886.6
16.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,702.6
11.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
654
2862
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB Comparações de RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
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EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
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