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Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
比较
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB vs AMD R744G2400U1S 4GB
总分
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
总分
AMD R744G2400U1S 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R744G2400U1S 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
68
左右 -209% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.6
1,702.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
AMD R744G2400U1S 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
22
读取速度,GB/s
3,886.6
16.7
写入速度,GB/s
1,702.6
11.6
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
654
2862
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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