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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
23.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
50
Por volta de -92% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.0
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
6400
Por volta de 3.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
26
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
23.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
19.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
21300
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
4276
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Comparações de RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
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Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
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