RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
23.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
50
Intorno -92% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.0
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
26
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
23.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
19.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
4276
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link