RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
50
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
23.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
19.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 3
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
4276
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link