RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
94
Около -203% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.6
1,165.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
94
31
Скорость чтения, Гб/сек
1,882.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
1,165.4
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
305
2554
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link