RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
63
Около 46% меньшая задержка
Причины выбрать
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
63
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link