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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Puntuación global
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
63
En 46% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
5.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
63
Velocidad de lectura, GB/s
8.6
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.8
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1682
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
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