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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Pontuação geral
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
63
Por volta de 46% menor latência
Razões a considerar
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.7
8.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
5.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
10600
Por volta de 2.42 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
63
Velocidade de leitura, GB/s
8.6
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
5.8
12.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
25600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1682
2543
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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